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सैमसंग शक्तिशाली और ऊर्जा-कुशल DDR5 मेमोरी चिप पेश करता है

सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स में 512GB का विकास है DDR5 मेमोरी मॉड्यूल की घोषणा की। यह पहला है DRAM इकाई कंपनी के पिछले जुलाई में JEDEC सॉलिड स्टेट टेक्नोलॉजी एसोसिएशन द्वारा निर्धारित नवीनतम DDR5 मानक के लिए निर्मित। साथ में हाई-के-मेटल-गेट-टेक्नोलॉजी (एचकेएमजी) निर्मित हार्डवेयर अप करने के लिए डेटा अंतरण दर प्रदान करता है 7200 Mbit / s, DDR4 के रूप में दो बार से अधिक तेजी से।

छवि स्रोत: पिक्साबे

कंपनी ने 16 Gbps की आठ परतों का इस्तेमाल कियाघूंट चिप्सइस मॉड्यूल का निर्माण करने के लिए। दक्षिण कोरियाई टेक दिग्गज के अनुसार, का उपयोग एचकेएमजी तकनीक इन्सुलेशन परत में पारंपरिक सिलिकॉन ऑक्साइड के बजाय, पिछले प्रकार के मेमोरी चिप्स की तुलना में रिसाव वर्तमान को कम करने में मदद करता है। इसके अलावा, नई मेमोरी में पिछले चिप्स की तुलना में लगभग 13% कम बिजली की खपत होती है, जो कि कंपनी के अनुसार, यह डेटा सेंटरों के लिए विशेष रूप से आकर्षक बनाता है।

सैमसंग ने शुरू किया एचकेएमजी तकनीक इसके भंडारण उत्पादों पर लागू होता है। पिछले साल से, अत्यधिक पराबैंगनी विकिरण की प्रक्रिया का भी उपयोग किया गया है DRAM मैन्युफैक्चरिंग उपयोग किया गया। रिकॉर्ड तोड़ने वाली मेमोरी चिप के विमोचन के अवसर पर, यूएस इंटेल के प्रतिनिधियों ने घोषणा की कि वे सैमसंग के साथ मिलकर काम कर रहे हैं DDR5 ने बात कीदेने के लिए r कि प्रदर्शन के लिए और आने वाली इंटेल के साथ अनुकूलित है Xeon स्केलेबल प्रोसेसर, कोडनेम नीलम रैपिड्स, संगत है।